氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性 | |
刘新宇 ; 刘运龙 ; 孙海锋 ; 海潮和 ; 吴德馨 ; 和致经 ; 刘忠立 | |
刊名 | 半导体学报
![]() |
2001 | |
卷号 | 22期号:12页码:1596 |
英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:18导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5350.pdf: 275281 bytes, checksum: ca5d16df64e914c9979f8ba3737b8388 (MD5) Previous issue date: 2001; 中科院微电子中心;中科院半导体所 |
学科主题 | 微电子学 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18605] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,刘运龙,孙海锋,等. 氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性[J]. 半导体学报,2001,22(12):1596. |
APA | 刘新宇.,刘运龙.,孙海锋.,海潮和.,吴德馨.,...&刘忠立.(2001).氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性.半导体学报,22(12),1596. |
MLA | 刘新宇,et al."氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性".半导体学报 22.12(2001):1596. |
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