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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2014 [1]
2010 [2]
2006 [1]
1990 [1]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
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Controlled Synthesis of Phase-Pure InAs Nanowires on Si by Diminishing the Diameter to 10 nm
期刊论文
nano letters, 2014, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 1214-1220
Pan, D
;
Fu, MQ
;
Yu, XZ
;
Wang, XL
;
Zhu, LJ
;
Nie, SH
;
Wang, SL
;
Chen, Q
;
Xiong, P
;
von Molnar, S
;
Zhao, JH
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/04/02
Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in Si-doped
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: art. no. 125202
Misuraca J (Misuraca Jennifer)
;
Trbovic J (Trbovic Jelena)
;
Lu J (Lu Jun)
;
Zhao JH (Zhao Jianhua)
;
Ohno Y (Ohno Yuzo)
;
Ohno H (Ohno Hideo)
;
Xiong P (Xiong Peng)
;
von Molnar S (von Molnar Stephan)
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/10/11
PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY
DX CENTERS
ALXGA1-XAS
GAAS
SEMICONDUCTORS
Quantum Mechanical Study on Tunnelling and Ballistic Transport of Nanometer Si MOSFETs
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057101
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Jiang XW (Jiang Xiang-Wei)
;
Tang LM (Tang Li-Ming)
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浏览/下载:102/3
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提交时间:2010/05/24
SIMULATION
TRANSISTORS
LIMIT
NM
New type of Fano resonant tunneling via Anderson impurities in superlattice
期刊论文
europhysics letters, 2006, 卷号: 74, 期号: 5, 页码: 875-881
作者:
Liu J
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/04/11
ELECTRIC-FIELD
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
LOCALIZATION
亚微米CaAs MESFET二维数值模拟
期刊论文
电子科学学刊, 1990, 卷号: 12, 期号: 3, 页码: 284
熊思强
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提交时间:2010/11/23
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