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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Formation of shallow acceptors in ZnO doped by lithium with the addition of nitrogen 期刊论文 journal of physics and chemistry of solids, 2011, 卷号: 72, 期号: 6, 页码: 725-729 Gai, Yanqin; Tang, Gang; Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/06/14 Activation energy  Binding energy  Calculations  Complexation  Doping(additives)  Electronic structure  Zinc  Zinc oxide   Influence of ZnS and MgO Shell on the Photoluminescence Properties of ZnO Core/Shell Nanowire 期刊论文 journal of physical chemistry c, 2010, 卷号: 114, 期号: 3, 页码: 1467-1471 Meng XQ; Peng HW; Gai YQ; Li; J 收藏  |  浏览/下载：26/2  |  提交时间：2010/04/05 COLLOIDAL NANOCRYSTAL HETEROSTRUCTURES  OPTICAL-PROPERTIES  NANOSTRUCTURES  NANORODS  DOTS   Design of Narrow-Gap TiO2: A Passivated Codoping Approach for Enhanced Photoelectrochemical Activity 期刊论文 physical review letters, 2009, 卷号: 102, 期号: 3, 页码: art. no. 036402 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：187/43  |  提交时间：2010/03/08 AUGMENTED-WAVE METHOD  TITANIUM-DIOXIDE  WATER  ANATASE  PHOTOCATALYSIS  OXIDATION   Electronic Properties of Nonstoichiometric PbSe Quantum Dots from First Principles 期刊论文 journal of physical chemistry c, 2009, 卷号: 113, 期号: 52, 页码: 21506-21511 Gai YQ(盖艳琴); Peng HW(彭浩为); Li JB(李京波) 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/04/04 MULTIPLE EXCITON GENERATION  AUGMENTED-WAVE METHOD  1ST-PRINCIPLES CALCULATIONS  COLLOIDAL PBSE  SURFACE  PSEUDOPOTENTIALS  NANOCRYSTALS  RELAXATION  INTERBAND   Design of shallow acceptors in ZnO through compensated donor-acceptor complexes: A density functional calculation 期刊论文 physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 15, 页码: art.no.153201 Gai YQ (Gai, Yanqin); Li JB (Li, Jingbo); Li SS (Li, Shu-Shen); Xia JB (Xia, Jian-Bai); Yan YF (Yan, Yanfa); Wei SH (Wei, Su-Huai) 收藏  |  浏览/下载：132/34  |  提交时间：2010/03/08 INITIO MOLECULAR-DYNAMICS   Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: art. no. 155403 作者:  Li JB;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：67/11  |  提交时间：2010/03/08 N-TYPE GAN  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  VAPOR-PHASE EPITAXY  DEFECTS  THERMOLUMINESCENCE  CARBON  TRAP   The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113704 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：132/30  |  提交时间：2010/03/08 AUGMENTED-WAVE METHOD  P-TYPE ZNO  POINT-DEFECTS  II-VI  NITROGEN  SEMICONDUCTORS  1ST-PRINCIPLES  COMPENSATION  ENHANCEMENT   Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  AUGMENTED-WAVE METHOD  VAPOR-PHASE EPITAXY  ELECTRICAL-PROPERTIES  OXYGEN  ACTIVATION  SILICON   Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: art. no. 062110 Gai, YQ; Yao, B; Wei, ZP; Li, YF; Lu, YM; Shen, DZ; Zhang, JY; Zhao, DX; Fan, XW; Li, JB; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE ZNO  II-VI  BAND-GAP  SEMICONDUCTORS  FILMS  MGXZN1-XO  EPITAXY