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科研机构
半导体研究所 [18]
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期刊论文 [16]
会议论文 [2]
发表日期
2014 [3]
2012 [1]
2011 [5]
2010 [1]
2007 [3]
2006 [4]
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学科主题
半导体材料 [18]
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学科主题:半导体材料
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Band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaN heterostructures measured by X-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
nanoscale research letters, 2014, 卷号: 9, 页码: 470
Sang, L
;
Zhu, QS
;
Yang, SY
;
Liu, GP
;
Li, HJ
;
Wei, HY
;
Jiao, CM
;
Liu, SM
;
Wang, ZG
;
Zhou, XW
;
Mao, W
;
Hao, Y
;
Shen, B
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2015/03/25
High-power InGaAs/GaAs quantum-well laser with enhanced broad spectrum of stimulated emission
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 14, 页码: 141101
Wang, HL
;
Yu, HY
;
Zhou, XL
;
Kan, Q
;
Yuan, LJ
;
Chen, WX
;
Wang, W
;
Ding, Y
;
Pan, JQ
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2015/03/20
Ultrabroad stimulated emission from quantum well laser
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 25, 页码: 251101
Wang, HL
;
Zhou, XL
;
Yu, HY
;
Mi, JP
;
Wang, JQ
;
Bian, J
;
Ding, Y
;
Chen, WX
;
Wang, W
;
Pan, JQ
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2015/04/02
Wetting layer evolution and its temperature dependence during self-assembly of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 页码: 600
Zhang HY (Zhang, Hongyi)
;
Chen YH (Chen, Yonghai)
;
Zhou GY (Zhou, Guanyu)
;
Tang CG (Tang, Chenguang)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2013/03/26
Ordered InAs nanodots formed on the patterned GaAs substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113
Jin, L
;
Zhou, HY
;
Qu, SC
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:91/0
  |  
提交时间:2012/02/06
Patterned substrate
Ion implantation
Ordered nanodots
Anodic aluminum oxide
QUANTUM DOTS
ISLANDS
GROWTH
SEMICONDUCTORS
NANOSTRUCTURES
COMPUTATION
INGAAS
Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
收藏
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浏览/下载:55/5
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提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575
作者:
Xu B
;
Jin P
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:65/1
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提交时间:2011/07/05
Atom force microscopy
Nanostructures
Molecular-beam epitaxy
Nanomaterials
Semiconducting gallium arsenide
QUANTUM-DOTS
ANODIC ALUMINA
ARRAYS
PLACEMENT
INAS
Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501
作者:
Zhou GY
;
Zhang HY
;
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:70/4
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提交时间:2011/07/05
INAS ISLANDS
MU-M
ESCAPE
GAAS
GAAS(100)
SUBSTRATE
Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
会议论文
16th international conference on crystal growth (iccg16)/14th international conference on vapor growth and epitaxy (icvge14), beijing, peoples r china, aug 08-13, 2010
阎Zhou HY (Zhou Huiying)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Jin P (Jin Peng)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Ye XL (Ye Xiaoling)
;
Liu JP (Liu Junpeng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2011/07/26
Optical properties of Mn+ doped GaAs
期刊论文
optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 784-787
Zhou HY (Zhou Huiying)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Liao SZ (Liao Shuzhi)
;
Zhang FS (Zhang Fasheng)
;
Liu JP (Liu Junpeng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:178/22
  |  
提交时间:2010/08/17
Photoluminescence
Ion implantation
Manganese
GaAs
ION-IMPLANTATION
SEMICONDUCTORS
CENTERS
DOTS
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