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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Large and robust electrical spin injection into GaAs at zero magnetic field using an ultrathin CoFeB/MgO injector 期刊论文 physical review b, 2014, 卷号: 90, 期号: 8, 页码: 085310 Liang, SH; Zhang, TT; Barate, P; Frougier, J; Vidal, M; Renucci, P; Xu, B; Jaffres, H; George, JM; Devaux, X; Hehn, M; Marie, X; Mangin, S; Yang, HX; Hallal, A; Chshiev, M; Amand, T; Liu, HF; Liu, DP; Han, XF; Wang, ZG; Lu, Y 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/03/25 Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 399-403 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Xu DP; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：85/11  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  nitrides  semiconducting III-V materials  PHASE  FILMS   Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Xu DP; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/15 X-ray diffraction  nitrides  semiconducting III-V materials  PHASE  FILMS   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  cubic GaN  Mg doping  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  III-V NITRIDE  P-TYPE GAN  OPTICAL-PROPERTIES  COMPENSATION  DIODES  FILMS   Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  hexagonal GaN  buffer layer  AFM  RHEED  CUBIC GAN  FILMS  GAAS  DEPENDENCE  NITRIDE  LAYERS   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 279-282 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  buffer layer  atomic force microscopy  reflection high-energy electron diffraction  MOVPE   Effect of buffer layer growth conditions on the secondary hexagonal phase content in cubic GaN films on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 3-4, 页码: 397-401 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 III-V semiconductor MOCVD RHEED  XRDCD  SAPPHIRE   MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 作者:  Zhao DG;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 MOCVD  GaN  InGaN  cubic  LED  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  PHASE EPITAXY  INGAN FILMS  ELECTROLUMINESCENCE  ZINCBLENDE  WURTZITE  MBE