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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of ion-induced damage on GaNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 1-2, 页码: 140-144 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Wang XY; Wu RH; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：100/7  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  quantum wells  BAND-GAP ENERGY  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  GANXAS1-X  FILMS   Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 516-520 Pan Z; Li LH; Zhang W; Wang XU; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：86/10  |  提交时间：2010/08/12 adsorption  characterization  radiation  molecular beam epitaxy  nitrides  SURFACE-EMITTING LASER  QUANTUM-WELLS  OPERATION  RANGE   Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 527-531 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Wang XY; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：83/6  |  提交时间：2010/08/12 characterization  defects  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  nitrides  GAAS   X-ray double-crystal characterization of the strain relaxation in GaAs/GaNxAs1-x/GaAs(001) sandwiched structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 1-2, 页码: 26-32 Pan Z; Wang YT; Li LH; Zhang W; Lin YW; Zhou ZQ; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 x-ray diffraction  strain relaxation  GaNxAs1-x/GaAs  photoluminescence  RHEED  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE PULSED OPERATION  BAND-GAP ENERGY  NITROGEN  GAASN  GANXAS1-X  GAAS1-XNX  ALLOYS  LASERS  LAYERS   Investigation on the origin of wurtzite domains in thick cubic GaN using reactive ion etching 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 372, 期号: 1-2, 页码: 25-29 作者:  Zhao DG;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LIGHT-EMITTING-DIODES  YELLOW LUMINESCENCE  GROWTH  HETEROSTRUCTURE  NITRIDE   Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  hexagonal GaN  buffer layer  AFM  RHEED  CUBIC GAN  FILMS  GAAS  DEPENDENCE  NITRIDE  LAYERS   Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 279-282 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  buffer layer  atomic force microscopy  reflection high-energy electron diffraction  MOVPE   Growth and characterization of strained superlattices delta-GaNxAs1-x/GaAs by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 648-652 Pan Z; Li LH; Lin YW; Zhou ZQ; Zhang W; Wang YT; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs/GaAs superlattice  X-ray diffraction  periodicity fluctuation  MBE  RHEED  BAND-GAP ENERGY  NITROGEN  ALLOYS  DIFFRACTION  COEFFICIENT  SOLUBILITY  OPERATION  GAAS1-XNX  GAASN   Effect of Si doping on cubic GaN films grown on GaAs(100) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  cubic  hexagonal  photoluminescence  XRD  DOPED GAN  SILICON  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  LIGHT-EMITTING DIODES   Scanning electron microscope studies of cubic AlxGa1-xN films grown on GaAs(100) by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 203, 期号: 1-2, 页码: 40-44 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 AlGaN  cubic  hexagonal  SEM  MOVPE  GAAS  GAN