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科研机构
半导体研究所 [14]
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期刊论文 [14]
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2016 [1]
2015 [1]
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学科主题
半导体材料 [14]
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学科主题:半导体材料
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Exciton emission of quasi-2D InGaN in GaN matrix grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 46420
作者:
Dingyu Ma
;
Xin Rong
;
Xiantong Zheng
;
Weiying Wang
;
Ping Wang
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2018/05/23
Optimization of growth and fabrication techniques to enhance the InGaN/GaN multiple quantum well solar cells performance
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 109, 页码: 194-200
作者:
Shiming Liu
;
Quan Wang
;
Hongling Xiao
;
Kun Wang
;
Cuimei Wang
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2018/05/23
High-Output-Power Ultraviolet Light Source from Quasi-2D GaN Quantum Structure
期刊论文
adv mater, 2016, 卷号: 28, 期号: 36, 页码: 7978-7983
Xin Rong
;
Xinqiang Wang
;
Sergey V. Ivanov
;
Xinhe Jiang
;
Guang Chen
;
Ping Wang
;
Weiying Wang
;
Chenguang He
;
Tao Wang
;
Tobias Schulz
;
Martin Albrecht
;
Valentin N. Jmerik
;
Alexey A. Toropov
;
Viacheslav V. Ratnikov
;
Vladimir I. Kozlovsky
;
Victor P. Martovitsky
;
Peng Jin
;
Fujun Xu
;
Xuelin Yang
;
Zhixin Qin
;
Weikun Ge
;
Junjie Shi
;
and Bo Shen
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2017/03/10
Mid-infrared Photoconductive Response in AlGaN/GaN Step Quantum Wells
期刊论文
scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 14386
X. Rong
;
X. Q. Wang
;
G. Chen
;
X. T. Zheng
;
P. Wang
;
F. J. Xu
;
Z. X. Qin
;
N. Tang
;
Y. H. Chen
;
L. W. Sang
;
M. Sumiya
;
W. K. Ge
;
B. Shen
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2016/03/18
Evidence of Type-II Band Alignment in III-nitride Semiconductors: Experimental and theoretical investigation for In0.17Al0.83N/GaN heterostructures
期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 6521
Wang, JM
;
Xu, FJ
;
Zhang, X
;
An, W
;
Li, XZ
;
Song, J
;
Ge, WK
;
Tian, GS
;
Lu, J
;
Wang, XQ
;
Tang, N
;
Yang, ZJ
;
Li, W
;
Wang, WY
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Shen, B
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2015/03/20
Effect of polarization on intersubband transition in AlGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 192109 - 192109-5
G. Chen, Z. L. Li, X. Q. Wang, C. C. Huang, X. Rong, L. W. Sang, F. J. Xu, N. Tang, Z. X. Qin, M. Sumiya, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2014/02/12
Strong circular photogalvanic effect in ZnO epitaxial films
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 4, 页码: art. no. 041907
Zhang Q (Zhang Q.)
;
Wang XQ (Wang X. Q.)
;
Yin CM (Yin C. M.)
;
Xu FJ (Xu F. J.)
;
Tang N (Tang N.)
;
Shen B (Shen B.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Chang K (Chang K.)
;
Ge WK (Ge W. K.)
;
Ishitani Y (Ishitani Y.)
;
Yoshikawa A (Yoshikawa A.)
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浏览/下载:279/88
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提交时间:2010/09/07
II-VI semiconductors
photoconductivity
photovoltaic effects
semiconductor epitaxial layers
spin-orbit interactions
valence bands
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Optical properties of phase-separated GaN1-xPx alloys grown by light-radiation heating metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2081-2083
Lu LW
;
Chen TJ
;
Shen B
;
Wang JN
;
Ge WK
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浏览/下载:67/32
  |  
提交时间:2010/03/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 5-6, 页码: 523-525
Leung, BH
;
Fong, WK
;
Surya, C
;
Lu, LW
;
Ge, WK
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浏览/下载:343/96
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提交时间:2010/03/09
GaN
Growth temperature effect on the optical and material properties of AlxInyGa1-x-yN epilayers grown by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 84-90
作者:
Li DB
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
surfaces
X-ray diffraction
growth from high temperature solutions
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
semiconducting III-V materials
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
QUANTUM-WELL
LUMINESCENCE
DIODES
GAN
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