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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算 期刊论文 半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 698 奚雪梅; 赵清太; 张兴; 李映雪; 王阳元; 陈新; 王佑祥 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/08/30 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2016/09/29 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2016/09/28