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科研机构
半导体研究所 [13]
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期刊论文 [11]
专利 [2]
发表日期
2006 [1]
2005 [3]
2004 [1]
2003 [2]
2002 [1]
2001 [1]
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学科主题
半导体材料 [13]
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学科主题:半导体材料
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蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1382-1385
作者:
王晓燕
;
肖红领
;
王保柱
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2378-2384
作者:
刘喆
;
王俊
;
王俊
;
肖红领
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浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2010/11/23
MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 494-497
冉军学
;
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:132/3
  |  
提交时间:2010/11/23
蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1169-1172
作者:
肖红领
;
韩勤
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/11/23
Si衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上的GaN生长
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 678-681
王军喜
;
王晓亮
;
刘宏新
;
胡国新
;
李建平
;
李晋闽
;
曾一平
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料
期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 602-605
胡国新
;
王晓亮
;
孙殿照
;
王军喜
;
刘宏新
;
刘成海
;
曾一平
;
李晋闽
;
林兰英
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/23
MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
刘宏新
;
孙殿照
;
曾一平
;
李晋闽
;
孔梅影
;
林兰英
;
刘新宇
;
刘键
;
钱鹤
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/23
分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 202-204
孙殿照
;
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
刘宏新
;
刘成海
;
曾一平
;
李晋闽
;
林兰英
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/23
RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料
期刊论文
材料科学与工艺, 2001, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 316
胡国新
;
孙殿照
;
王晓亮
;
刘宏新
;
刘成海
;
曾一平
;
李晋闽
;
林兰英
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料
期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 350
孙殿照
;
刘宏新
;
王军喜
;
王晓亮
;
刘成海
;
曾一平
;
李晋闽
;
林兰英
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/23
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