蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长

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	蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长
	肖红领; 韩勤
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:6 页码:1169-1172
中文摘要	采用低温氮化铟(InN)缓冲层，利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜．用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜，表面无铟滴．InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′；用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3．3nm；Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3．3×10^18cm^3，相应的电子迁移率为262cm^2／(V·s)．
英文摘要	采用低温氮化铟(InN)缓冲层，利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜．用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜，表面无铟滴．InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′；用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3．3nm；Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3．3×10^18cm^3，相应的电子迁移率为262cm^2／(V·s)．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:24导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4460.pdf: 352286 bytes, checksum: d49ec4e112953f1110f479ed33a24ed6 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展规划,国家自然科学基金; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展规划,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16963]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	肖红领,韩勤. 蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长[J]. 半导体学报,2005,26(6):1169-1172.
APA	肖红领,&韩勤.(2005).蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长.半导体学报,26(6),1169-1172.
MLA	肖红领,et al."蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长".半导体学报 26.6(2005):1169-1172.