蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长 | |
肖红领![]() ![]() | |
刊名 | 半导体学报
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2005 | |
卷号 | 26期号:6页码:1169-1172 |
中文摘要 | 采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3.3nm;Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3.3×10^18cm^3,相应的电子迁移率为262cm^2/(V·s). |
英文摘要 | 采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3.3nm;Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3.3×10^18cm^3,相应的电子迁移率为262cm^2/(V·s).; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:24导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4460.pdf: 352286 bytes, checksum: d49ec4e112953f1110f479ed33a24ed6 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展规划,国家自然科学基金; 中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展规划,国家自然科学基金 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16963] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖红领,韩勤. 蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长[J]. 半导体学报,2005,26(6):1169-1172. |
APA | 肖红领,&韩勤.(2005).蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长.半导体学报,26(6),1169-1172. |
MLA | 肖红领,et al."蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长".半导体学报 26.6(2005):1169-1172. |
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