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科研机构
半导体研究所 [14]
内容类型
期刊论文 [13]
成果 [1]
发表日期
2003 [3]
2001 [1]
1999 [1]
1997 [4]
1996 [1]
1995 [1]
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学科主题
半导体材料 [14]
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学科主题:半导体材料
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GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 142-144
作者:
刘超
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/23
Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 135-138
孙国胜
;
王雷
;
罗木昌
;
赵万顺
;
朱世荣
;
李晋闽
;
曾一平
;
林兰英
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/11/23
GaN的声表面波特性研究
期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 161-164
作者:
韩培德
;
黎大兵
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Si(001)衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长
期刊论文
材料科学与工艺, 2001, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 253
孙国胜
;
罗木昌
;
王雷
;
朱世荣
;
李晋闽
;
林兰英
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2010/11/23
低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响
期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 559
李建平
;
黄大定
;
刘金平
;
刘学锋
;
李灵宵
;
朱世荣
;
孙殿照
;
孔梅影
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
高质量GaN材料的GSMBE生长
期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 12, 页码: 935
王晓亮
;
孙殿照
;
孔梅影
;
张剑平
;
傅荣辉
;
朱世荣
;
曾一平
;
李晋闽
;
林兰英
收藏
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浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/23
In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱GSMBE生长及特性研究
期刊论文
红外与毫米波学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 1
王晓亮
;
孙殿照
;
孔梅影
;
侯洵
;
曾一平
;
李建平
;
李灵霄
;
朱世荣
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
GaN材料的GSMBE生长
期刊论文
高技术通讯, 1997, 卷号: 7, 期号: 3, 页码: 1
王晓亮
;
孙殿照
;
李晓兵
;
黄运衡
;
朱世荣
;
曾一平
;
李晋闽
;
孔梅影
;
林兰英
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量阱激光器性能的影响
期刊论文
电子显微学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 381
曾一平
;
孔梅影
;
王晓亮
;
朱世荣
;
李灵霄
;
李晋闽
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浏览/下载:119/16
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提交时间:2010/11/23
气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料
期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 6
袁瑞霞
;
阎春辉
;
国红熙
;
李晓兵
;
朱世荣
;
曾一平
;
李灵霄
;
孔梅影
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/11/23
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