Si（001）衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长

	Si（001）衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长
	孙国胜 ; 罗木昌 ; 王雷 ; 朱世荣 ; 李晋闽 ; 林兰英
刊名	材料科学与工艺
	2001
卷号	9 期号:3 页码:253
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:15导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5341.pdf: 161321 bytes, checksum: 78741479e15dc441cfef52e659620e26 (MD5) Previous issue date: 2001; 国家自然科学基金,国家973计划; 中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家973计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18587]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	孙国胜,罗木昌,王雷,等. Si（001）衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长[J]. 材料科学与工艺,2001,9(3):253.
APA	孙国胜,罗木昌,王雷,朱世荣,李晋闽,&林兰英.(2001).Si（001）衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长.材料科学与工艺,9(3),253.
MLA	孙国胜,et al."Si（001）衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长".材料科学与工艺 9.3(2001):253.