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等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼 期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 12, 页码: 4410-4413
作者:  王博
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RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 602-605
胡国新; 王晓亮; 孙殿照; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 135-138
孙国胜; 王雷; 罗木昌; 赵万顺; 朱世荣; 李晋闽; 曾一平; 林兰英
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23
Si(100)衬底上n-3C-SiC／p-Si异质结构研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 130-134
孙国胜; 孙艳玲; 王雷; 赵万顺; 罗木昌; 李建平; 曾一平; 林兰英
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23
非原生掺杂半绝缘磷化铟（InP）及其应用对比 期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 23, 页码: 1761-1762
董宏伟; 赵有文; 焦景华; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
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分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 202-204
孙殿照; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23
RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料 期刊论文
材料科学与工艺, 2001, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 316
胡国新; 孙殿照; 王晓亮; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23
NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 350
孙殿照; 刘宏新; 王军喜; 王晓亮; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23
Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1050
林燕霞; 黄大定; 张秀兰; 刘金平; 李建平; 高飞; 孙殿照; 曾一平; 孔梅影
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