Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method

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	Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method
	Lin YX(林燕霞) ; Huang DD(黄大定) ; Zhang XL(张秀兰) ; Liu JP(刘金平) ; Li JP(李建平) ; Gao F(高飞) ; Sun DZ(孙殿照) ; Ceng YP(曾一平) ; Kong MY(孔梅影)
刊名	半导体学报
	2000
卷号	21 期号:11 页码:1050
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:39导入数据到semi-ir的ir; made available in dspace on 2010-11-23t05:10:39z (gmt). no. of bitstreams: 1 5421.pdf: 223738 bytes, checksum: e49b9049e192ef8ce3c4dfc144a7c33e (md5) previous issue date: 2000; 中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	英语
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18747]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	Lin YX,Huang DD,Zhang XL,et al. Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method[J]. 半导体学报,2000,21(11):1050.
APA	林燕霞.,黄大定.,张秀兰.,刘金平.,李建平.,...&孔梅影.(2000).Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method.半导体学报,21(11),1050.
MLA	林燕霞,et al."Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method".半导体学报 21.11(2000):1050.