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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2016 [1]
2013 [3]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Mid-wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared focal plane arrays
期刊论文
infrared physics and technology, 2016, 卷号: 78, 页码: 263-267
Xuchang Zhou
;
Dongsheng Li
;
Jianliang Huang
;
Yanhua Zhang
;
Yingchun Mu
;
Wenquan Ma
;
Xiaoying Tie
;
Dafan Zuo
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2017/03/10
Electrical properties of the absorber layer for mid, long and very long wavelength detection using type-II InAs/GaSb superlattice structures grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2013, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 045004
Xiaolu Guo, Wenquan Ma, Jianliang Huang, Yanhua Zhang, Yang Wei, Kai Cui, Yulian Cao and Qiong Li
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浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2014/04/09
Electrical properties of the absorber layer for mid, long and very long wavelength detection using type-II InAs/GaSb superlattice structures grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2013, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 045004
Guo, Xiaolu
;
Ma, Wenquan
;
Huang, Jianliang
;
Zhang, Yanhua
;
Wei, Yang
;
Cui, Kai
;
Cao, Yulian
;
Li, Qiong
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/10/08
540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier
期刊论文
ieee electron device letters, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 759-761
Cui, Kai
;
Ma, Wenquan
;
Zhang, Yanhua
;
Huang, Jianliang
;
Wei, Yang
;
Cao, Yulian
;
Guo, Xiaolu
;
Li, Qiong
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/08/27
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