×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2005 [1]
2002 [1]
2001 [3]
2000 [2]
学科主题
半导体材料 [7]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究
期刊论文
中国稀土学报, 2005, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 576-581
作者:
杨少延
;
陈涌海
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2010/11/23
室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb
期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 24, 页码: 1863-1864
作者:
杨少延
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/11/23
质量分离的双离子束沉积法生长CeO_2(111)/Si薄膜
期刊论文
稀有金属, 2001, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 401
作者:
杨少延
收藏
  |  
浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2010/11/23
CeO_2/Si薄膜PL谱的“紫移”
期刊论文
科学通报, 2001, 卷号: 46, 期号: 18, 页码: 1511
作者:
杨少延
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/11/23
离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响
期刊论文
物理学报, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1324
作者:
杨少延
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/11/23
在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性
期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 338
作者:
杨少延
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2010/11/23
质量分离低能离子束沉积碳膜及离子轰击效应
期刊论文
物理学报, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2186
作者:
杨少延
收藏
  |  
浏览/下载:77/0
  |  
提交时间:2010/11/23
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace