离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响

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	离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响
	杨少延
刊名	物理学报
	2001
卷号	50 期号:7 页码:1324
中文摘要	利用质量分离的低能离子束沉积技术，得到了非晶碳膜。所用离子能量为50-200eV，衬底温度从室温到800℃。在沉积的能量范围内，衬底为室温时薄膜为类金刚石，表面非常光滑；而600℃下薄膜主要是石墨成分，表面粗糙。沉积能量大于140eV，800℃时薄膜表面分立着高度取向的、垂直衬底表面、相互平行的开口碳管。用高分辨电子显微镜看到了石墨平面的垂直择优取向，离子的浅注入和应用是这种优先取向的主要机理。
英文摘要	利用质量分离的低能离子束沉积技术，得到了非晶碳膜。所用离子能量为50-200eV，衬底温度从室温到800℃。在沉积的能量范围内，衬底为室温时薄膜为类金刚石，表面非常光滑；而600℃下薄膜主要是石墨成分，表面粗糙。沉积能量大于140eV，800℃时薄膜表面分立着高度取向的、垂直衬底表面、相互平行的开口碳管。用高分辨电子显微镜看到了石墨平面的垂直择优取向，离子的浅注入和应用是这种优先取向的主要机理。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:08:54导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5166.pdf: 416253 bytes, checksum: 2de632c95108c3a4655295356b590fce (MD5) Previous issue date: 2001; 中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18237]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	杨少延. 离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响[J]. 物理学报,2001,50(7):1324.
APA	杨少延.(2001).离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响.物理学报,50(7),1324.
MLA	杨少延."离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响".物理学报 50.7(2001):1324.