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半导体研究所 [13]

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期刊论文 [13]

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半导体材料 [13]

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限定条件	学科主题：半导体材料内容类型：期刊论文

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	Large and robust electrical spin injection into GaAs at zero magnetic field using an ultrathin CoFeB/MgO injector 期刊论文 physical review b, 2014, 卷号: 90, 期号: 8, 页码: 085310 Liang, SH; Zhang, TT; Barate, P; Frougier, J; Vidal, M; Renucci, P; Xu, B; Jaffres, H; George, JM; Devaux, X; Hehn, M; Marie, X; Mangin, S; Yang, HX; Hallal, A; Chshiev, M; Amand, T; Liu, HF; Liu, DP; Han, XF; Wang, ZG; Lu, Y 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2015/03/25
	Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer 期刊论文 micron, 2004, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 475-480 Luo, XH; Wang, RM; Zhang, XP; Zhang, HZ; Yu, DP; Luo, MC 收藏 \| 浏览/下载：147/32 \| 提交时间：2010/03/09 transmission electron microscopy electron energy loss spectroscopy molecular beam epitaxy gallium nitride CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION EPITAXY LAYER
	Large-scale synthesis of single-phase, high-quality GaN nanocrystallites 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2004, 卷号: 78, 期号: 5, 页码: 753-755 Wang JC; Yu DP; Li CY; Zhou JF; Wang YZ; Feng SQ 收藏 \| 浏览/下载：231/78 \| 提交时间：2010/03/09 LIGHT-EMITTING-DIODES
	Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 399-403 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Xu DP; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏 \| 浏览/下载：85/11 \| 提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction nitrides semiconducting III-V materials PHASE FILMS
	The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：47/0 \| 提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition cubic GaN hexagonal phase content 4-circle X-ray double crystal diffraction MOLECULAR-BEAM EPITAXY GALLIUM NITRIDE THIN-FILMS SILICON GAAS
	Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：44/0 \| 提交时间：2010/08/12 cubic GaN hexagonal GaN buffer layer AFM RHEED CUBIC GAN FILMS GAAS DEPENDENCE NITRIDE LAYERS
	Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 279-282 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：48/0 \| 提交时间：2010/08/12 cubic GaN buffer layer atomic force microscopy reflection high-energy electron diffraction MOVPE
	Effect of buffer layer growth conditions on the secondary hexagonal phase content in cubic GaN films on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 3-4, 页码: 397-401 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：35/0 \| 提交时间：2010/08/12 III-V semiconductor MOCVD RHEED XRDCD SAPPHIRE
	Effect of Si doping on cubic GaN films grown on GaAs(100) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：46/0 \| 提交时间：2010/08/12 GaN cubic hexagonal photoluminescence XRD DOPED GAN SILICON SEMICONDUCTORS SAPPHIRE LIGHT-EMITTING DIODES
	Scanning electron microscope studies of cubic AlxGa1-xN films grown on GaAs(100) by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 203, 期号: 1-2, 页码: 40-44 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：36/0 \| 提交时间：2010/08/12 AlGaN cubic hexagonal SEM MOVPE GAAS GAN

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