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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
会议论文 [2]
发表日期
2008 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
作者:
Hou QF
;
Zhang ML
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提交时间:2010/03/09
ALGAN/GAN HEMTS
Operational Optimization of GaN Thin Film Growth Employing Numerical Simulation in a Showerhead MOCVD Reactor
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Yin, HB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Ran, JX
;
Xiao, HL
;
Li, JM
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/03/09
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