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MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究 期刊论文
中国科学. A辑,数学, 1999, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 444
作者:  王玉田
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2010/11/23
GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 225
作者:  王玉田
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2010/11/23


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