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High-power passively mode-locked Nd:YVO4 laser using SWCNT saturable absorber fabricated by dip coating method 期刊论文
optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 4480-4486
Chun Yin Tang; Yang Chai; Hui Long; Lili Tao; Long Hui Zeng; Yuen Hong Tsang; Ling Zhang; Xuechun Lin
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/04/08
Effects of GaN Capping on the Structural and the Optical Properties of InN Nanostructures Grown by Using MOCVD 期刊论文
journal of the korean physical society, 2010, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 128-132
Sun YP (Sun Yuanping); Sun Y (Sun Yuanping); Cho YH (Cho Yong-Hoon); Wang H (Wang Hui); Wang LL (Wang Lili); Zhang SM (Zhang Shuming); Yang H (Yang Hui)
收藏  |  浏览/下载：514/2  |  提交时间：2010/08/17
穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957
作者:  王玉田;  江德生;  赵德刚;  朱建军;  张书明
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23
高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 592-596
作者:  朱建军;  江德生;  赵德刚;  张书明
收藏  |  浏览/下载：154/52  |  提交时间：2010/11/23
氮化镓肖特基结紫外探测器的异常特性测量 期刊论文
高技术通讯, 2005, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 62-67
作者:  朱建军;  张书明;  赵德刚
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23
缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响 期刊论文
中国科学. E辑， 技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 1
作者:  王玉田;  张书明;  朱建军
收藏  |  浏览/下载：117/0  |  提交时间：2010/11/23
GaN基肖特基结构紫外探测器 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 711-714
作者:  朱建军;  王俊;  王俊;  赵德刚;  张书明
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/23
Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 279-283
作者:  赵德刚;  王俊;  王俊
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23
GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术 期刊论文
中国科学. E辑，技术科学, 2002, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 584-589
作者:  王玉田;  赵德刚
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23
Suructural investigation of InGaAs/InP quantum wire array using triple-axis X-ray diffractometry 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 61
作者:  Wang W(王圩);  Jiang DS(江德生);  Ma WQ(马文全);  Wang YT(王玉田);  Zhu HL(朱洪亮)
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2010/11/23

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