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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2021    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Stepped upper waveguide layer for higher hole injection efficiency in GaN-based laser diodes 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2021, 卷号: 29, 期号: 21, 页码: 33992-34001 作者:  Hou, Yufei;   Zhao, Degang;   Chen, Ping;   Liang, Feng;   Liu, Zongshun;   Yang, Jing 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2022/03/28 Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 130, 期号: 17, 页码: 173105 作者:  Yang, J.;   Wang, B. B.;   Zhao, D. G.;   Liu, Z. S.;   Liang, F.;   Chen, P.;   Zhang, Y. H.;   Zhang, Z. Z. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2022/03/24 The Atomic Rearrangement of GaN-Based Multiple Quantum Wells in H-2/NH3 Mixed Gas for Improving Structural and Optical Properties 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2021, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 161 作者:  Ben, Yuhao;   Liang, Feng;   Zhao, Degang;   Yang, Jing;   Liu, Zongshun;   Chen, Ping 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/03/24 The influence of material quality of lower InGaN waveguide layer on the performance of GaN-based laser diodes 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2021, 卷号: 570, 页码: 151132 作者:  Wang, Xiao-Wei;   Liang, Feng;   Zhao, De-Gang;   Chen, Ping;   Liu, Zong-Shun;   Yang, Jing 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2022/03/23 Improvement of interface morphology and luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells by thermal annealing treatment 期刊论文 RESULTS IN PHYSICS, 2021, 卷号: 31, 页码: 105057 作者:  Hou, Yufei;   Liang, Feng;   Zhao, Degang;   Liu, Zongshun;   Chen, Ping;   Yang, Jing 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2022/03/23 Role of hydrogen treatment during the material growth in improving the photoluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 874, 页码: 159851 作者:  Hou, Yufei;   Liang, Feng;   Zhao, Degang;   Chen, Ping;   Yang, Jing;   Liu, Zongshun 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2022/03/28 The influence of residual GaN on two-step-grown GaN on sapphire 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 期号: 135, 页码: 105903 作者:  Peng, Liyuan;   Liu, Shuangtao;   Yang, Jing;   Zhao, Degang;   Liang, Feng;   Chen, Ping;   Liu, Zongshun 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2022/03/24