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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2020    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Above Room-Temperature Ferromagnetism in Wafer-Scale Two-Dimensional van der Waals Fe3GeTe2 Tailored by a Topological Insulator 期刊论文 ACS NANO, 2020, 卷号: 14, 期号: 8, 页码: 10045-10053 作者:  Haiyu Wang;   Yingjie Liu;   Peichen Wu;   Wenjie Hou;   Yuhao Jiang;   Xiaohui Li;   Chandan Pandey;   Dongdong Chen;   Qing Yang;   Hangtian Wang;   Dahai Wei;   Na Lei;   Wang Kang;   Lianggong Wen;   Tianxiao Nie*;   Weisheng Zhao;   Kang L. Wang 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2021/05/26 Three Subband Occupation of the Two‐Dimensional Electron Gas in Ultrathin Barrier AlN/GaN Heterostructures 期刊论文 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2020, 卷号: 30, 期号: 46, 页码: 2004450 作者:  Liuyun Yang;   Xinqiang Wang;   Tao Wang;   Jingyue Wang;   Wenjie Zhang;   Patrick Quach;  Ping Wang;   Fang Liu;   Duo Li;   Ling Chen;   Shangfeng Liu;   Jiaqi Wei;   Xuelin Yang;  Fujun Xu;   Ning Tang;   Wei Tan;   Jian Zhang;   Weikun Ge;   Xiaosong Wu;   Chi Zhang;   Bo Shen 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2021/05/25 Performance deterioration of GaN-based laser diode by V-pits in the upper waveguide layer 期刊论文 NANOPHOTONICS, 2020, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 667-674 作者:  Feng Liang ;   Degang Zhao;   Desheng Jiang;   Wenjie Wang;   Zongshun Liu;   Jianjun Zhu;   Ping Chen;   Jing Yang and Liqun Zhang 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2021/11/05 Achieving homogeneity of InGaN/GaN quantum well by well/barrier interface treatment 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 卷号: 505, 页码: 144283 作者:  Liyuan Peng ;   Degang Zhao;   Jianjun Zhu ;   Wenjie Wang;   Feng Liang;   Desheng Jiang ;  Zongshun Liu ;   Ping Chen ;   Jing Yang ;   Shuangtao Liu ;   Yao Xing ;   Liqun Zhang 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/12/17