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新疆理化技术研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2019 [1]
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发表日期:2019
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150 KeV proton irradiation effects on photoluminescence of GaInAsN bulk and quantum well structures
期刊论文
OPTICAL MATERIALS, 2019, 卷号: 97, 期号: 11, 页码: 1-6
作者:
Lei, QQ (Lei, Q. Q.)[ 1,2 ]
;
Aierken, A (Aierken, A.)[ 2,3 ]
;
Sailai, M (Sailai, M.)[ 2 ]
;
Heini, M (Heini, M.)[ 2,4 ]
;
Shen, XB (Shen, X. B.)[ 2 ]
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提交时间:2020/01/10
Dilute nitride
InGaAsN
Proton irradiation
Degradation
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