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一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法 专利
专利号: CN201210524692.0, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2014-06-11
作者:  胡爱斌;  朱阳军;  田晓丽;  张文亮
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逆导型IGBT的背面结构及其制备方法 专利
专利号: CN201210526482.5, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2014-06-18
作者:  胡爱斌;  田晓丽;  朱阳军;  张文亮
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一种带FS层的PT型功率器件的制作方法 专利
专利号: CN201210543954.8, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2014-06-18
作者:  朱阳军;  吴振兴;  田晓丽;  卢烁今;  胡爱斌
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