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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of Different Gate Biases and Gate Lengths on Parasitic Source Access Resistance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 3, 页码: 1038-1044 作者:  Cui, Peng;  Liu, Huan;  Lin, Wei;  Lin, Zhaojun;  Cheng, Aijie 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/11 AlGaN/GaNheterostructureFETs (HFETs)  gate bias  gate length  parasitic  source access resistance  polarization Coulomb field scattering   Parasitic source resistance at different temperatures for AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9 作者:  Liu, Yan;  Lin, Zhao-Jun;  Lv, Yuan-Jie;  Cui, Peng;  Fu, Chen 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11 AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs)  parasitic source resistance  polarization Coulomb field scattering   Effects of post-annealed floating gate on the performance of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 12 作者:  Cui, Peng;  Lin, Zhao-Jun;  Fu, Chen;  Liu, Yan;  Lv, Yuan-Jie 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/11 AlGaN/GaN HFETs  floating gate  rapid thermal annealing  strain   Effect of polarization Coulomb field scattering on device linearity in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 122, 期号: 12 作者:  Cui, Peng;  Lv, Yuanjie;  Lin, Zhaojun;  Fu, Chen;  Liu, Yan 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/11 N-Doped Mesoporous In2O3 for Photocatalytic Oxygen Evolution from the In-based Metal-Organic Frameworks 期刊论文 CHEMISTRY-A EUROPEAN JOURNAL, 2017, 卷号: 23, 期号: 30, 页码: 7264-7271 作者:  Gan, Xiaoyu;  Zheng, Ruijin;  Liu, Tianlin;  Meng, Jiao;  Chen, Ruiping 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/11 indium  metal-organic frameworks  N-doping  oxygen evolution reaction  photocatalyts   Enhanced effect of diffused Ohmic contact metal atoms for device scaling in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 卷号: 103, 页码: 113-120 作者:  Liu, Huan;  Cheng, Aijie;  Lin, Zhaojun;  Cui, Peng;  Liu, Yan 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11 AIGaN/GaN HFETs  Diffused Ohmic contact metal atoms  Polarization  Coulomb field scattering   Determination of the strain distribution for the Si3N4 passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 卷号: 111, 页码: 806-815 作者:  Fu, Chen;  Lin, Zhaojun;  Liu, Yan;  Cui, Peng;  Lv, Yuanjie 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/11 AlGaN/AlN/GaN HFETs  Strain distribution  Passivation  Polarization  coulomb field scattering   A method to determine electron mobility of the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 卷号: 110, 页码: 289-295 作者:  Cui, Peng;  Lin, Zhaojun;  Fu, Chen;  Liu, Yan;  Lv, Yuanjie 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/11 AlGaN/GaN HFETs  Electron mobility  Transconductance  Polarization  Coulomb field scattering   Influence of the gate position on source-to-drain resistance in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 AIP ADVANCES, 2017, 卷号: 7, 期号: 8 作者:  Liu, Yan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11 Effects of Floating Gate Structures on the Two-Dimensional Electron Gas Density and Electron Mobility in AlGaN/AlN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors 期刊论文 JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2017, 卷号: 71, 期号: 12, 页码: 963-967 作者:  Zhao, Jingtao;  Zhao, Zhenguo;  Chen, Zidong;  Lin, Zhaojun;  Xu, Fukai 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/12 AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors  Polarization  Coulomb field scattering  Floating gate structures  Two-dimensional  electron gas  Polarization charges