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山东大学 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2017 [4]
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发表日期:2017
专题:山东大学
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Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9
作者:
Li, Jianfei
;
Lv, Yuanjie
;
Li, Changfu
;
Ji, Ziwu
;
Pang, Zhiyong
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提交时间:2019/12/11
AlGaN/GaN HEMT
Fe-doping
photoluminescence
leakage current
Influence of AlN barrier thickness on AlN/GaN heterostructure optical and transport properties
期刊论文
OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS, 2017, 卷号: 11, 期号: 3-4, 页码: 184-188
作者:
Li, Jianfei
;
Lv, Yuanjie
;
Huang, Shulai
;
Ji, Ziwu
;
Pang, Zhiyong
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/11
Strain relaxation
Hall effect
Photoluminescence
Crack
Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
Chinese Physics B, 2017, 期号: 09, 页码: 519-523
作者:
Li JF(李建飞)
;
Lv YJ(吕元杰)
;
Li ZF(李长富)
;
Ji ZW(冀子武)
;
Pang ZY(庞智勇)
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浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/12
AlGaN/GaN HEMT
Fe-doping
photoluminescence
leakage current
Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs∗
期刊论文
Chinese Physics B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9
作者:
Li, Jianfei
;
Lv, Yuanjie
;
Li, Changfu
;
Ji, Ziwu
;
Pang, Zhiyong
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/12
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