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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究 期刊论文 半导体技术, 2017 作者:  魏珂;  陈诗哲;  刘新宇;  王泽卫;  张宗敬 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/05/16 GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法 专利 专利号: CN201410005400.1, 申请日期: 2017-03-22, 公开日期: 2014-04-16 作者:  郑英奎;  赵妙;  欧阳思华;  李艳奎;  刘新宇 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/02/07