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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Flexible Broadband Graphene Photodetectors Enhanced by Plasmonic Cu3-xP Colloidal Nanocrystals 期刊论文 SMALL, 2017 作者:  Sun, Tian;  Wang, Yongjie;  Yu, Wenzhi;  Wang, Yusheng;  Dai, Zhigao 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2018/02/05 Breakdown Enhancement and Current Collapse Suppression by High-Resistivity GaN Cap Layer in Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 作者:  Hao, Ronghui;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao;  Song, Liang 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2018/02/05 High-performance AlGaN/GaN MIS-HEMT device based on in situ plasma nitriding and low power chemical vapor deposition Si3N4gate dielectrics 期刊论文 2017 作者:  Li, Shu-Ping;  Zhang, Zhi-Li(张志利）;  Fu, Kai(付凯);  Yu, Guo-Hao(于国浩);  Cai, Yong(蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/02/05 AlGaN/GaN MIS-HEMTs of Very-Low Vth Hysteresis and Current Collapse With In-Situ Pre-Deposition Plasma Nitridation and LPCVD-Si3N4 Gate Insulator 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 作者:  Zhang, Zhili（张志利）;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao（于国浩）;  Zhang, Xiaodong（张晓东） 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/02/05 Near-Infrared Photodetectors Based on MoTe2/Graphene Heterostructure with High Responsivity and Flexibility 期刊论文 SMALL, 2017 作者:  Yu, Wenzhi;  Li, Shaojuan;  Zhang, Yupeng;  Ma, Weiliang;  Sun, Tian 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/02/05 Mechanism of leakage of ion-implantation isolated AlGaN/GaN MIS-high electron mobility transistors on Si substrate 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017 作者:  Zhang, Zhili（张志利）;  Song, Liang;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao（于国浩） 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2018/02/05