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科研机构
上海大学 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
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2016 [3]
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发表日期:2016
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Annealing effects on Cd0.96Zn0.04Te crystals with Te inclusions probed by photoluminescence spectroscopy
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2016, 卷号: 253, 页码: 1612-1615
作者:
Qi, Zhen[1]
;
Sheng, Fengfeng[2]
;
Zhu, Liang[3]
;
Chen, Xiren[4]
;
Zhu, Liangqing[5]
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提交时间:2019/04/26
annealing
CdZnTe
deep levels
defects
photoluminescence
GaInSb/InAs/AlSb quantum wells with InSb- and GaAs-like interfaces investigated by temperature- and magnetic field-dependent photoluminescence
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119
作者:
Chen, Xiren[1]
;
Xing, Junliang[2]
;
Zhu, Liangqing[3]
;
Zha, F.X.[4]
;
Niu, Zhichuan[5]
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提交时间:2019/04/26
Auger recombination at low temperatures in InGaAs/InAlAs quantum well probed by photoluminescence
期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2016, 卷号: 169, 页码: 132-136
作者:
Zhu, Liang[1]
;
Song, Yuxin[2]
;
Qi, Zhen[3]
;
Wang, Shumin[4]
;
Zhu, Liangqing[5]
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提交时间:2019/04/26
Quantum well
Strong localization
Photoluminescence
Auger recombination
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