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苏州纳米技术与纳米仿... [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2016 [5]
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发表日期:2016
专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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Performance and retention characteristics of nanocrystalline Si floating gate memory with an Al2O3 tunnel layer fabricated by plasma-enhanced atomic layer deposition
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 7
作者:
Ma, ZY
;
Wang, W
;
Yang, HF
;
Jiang, XF
;
Yu, J
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2017/03/11
Spatial distribution of crystalline quality in N-type GaN grown on patterned sapphire substrate
期刊论文
OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 6
作者:
Jiang, T
;
Xu, SR
;
Zhang, JC
;
Li, PX
;
Huang, J(黄俊)
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2017/03/11
Morphological dependent Indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells structure grown on 4 degrees misoriented sapphire substrate
期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:
Jiang, T
;
Xu, SR
;
Zhang, JC
;
Li, PX
;
Huang, J(黄俊)
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/03/11
High Mobility MoS2 Transistor with Low Schottky Barrier Contact by Using Atomic Thick h-BN as a Tunneling Layer
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2016, 卷号: 28, 期号: 37
作者:
Wang, JL
;
Yao, Q
;
Huang, CW
;
Zou, XM
;
Liao, L
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/11
Room Temperature Broadband Infrared Carbon Nanotube Photodetector with High Detectivity and Stability
期刊论文
ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2016, 卷号: 4, 期号: 2
作者:
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/03/11
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