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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2016    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A spin Hall effect-based multi-level cell for MRAM 会议论文 Proceedings of the 2016 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), 2016-01-01 作者:  Shi, Qian;  Wang, Zhaohao;  Gao, Yuqian;  Chang, Liang;  Kang, Wang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/30 Magnetoresistive random access memory  multi-level cell  spin Hall effect  Non-volatile   Evaluation of Spin-Hall-assisted STT-MRAM for Cache Replacement 会议论文 Proceedings of the 2016 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), 2016-01-01 作者:  Chang, Liang;  Wang, Zhaohao;  Gao, Yuqian;  Kang, Wang;  Zhang, Youguang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/30 spin orbit torque (SOT)  spin transfer torque (STT)  magnetoresistive random access memory (MRAM)  cache replacement  NVSim  GEM5   Approximate Computing in MOS/Spintronic Non-Volatile Full-Adder 会议论文 Proceedings of the 2016 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), 2016-01-01 作者:  Cai, Hao;  Wang, You;  Naviner, Lirida A. B.;  Wang, Zhaohao;  Zhao, Weisheng 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/30 Approximate computing  UTBB-FDSOI  magnetic tunnel junction  nonvolatile full adder  ultra low power