| A spin Hall effect-based multi-level cell for MRAM | |
| Shi, Qian; Wang, Zhaohao; Gao, Yuqian; Chang, Liang; Kang, Wang; Zhang, Youguang; Zhao, Weisheng | |
| 2016 | |
| 会议名称 | Proceedings of the 2016 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH) |
| 会议日期 | 2016-01-01 |
| 关键词 | Magnetoresistive random access memory multi-level cell spin Hall effect Non-volatile |
| 页码 | 143-144 |
| 收录类别 | EI ; CPCI-S |
| URL标识 | 查看原文 |
| WOS记录号 | WOS:000389301500028 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5955131 |
| 专题 | 北京航空航天大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Shi, Qian,Wang, Zhaohao,Gao, Yuqian,et al. A spin Hall effect-based multi-level cell for MRAM[C]. 见:Proceedings of the 2016 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH). 2016-01-01. |
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