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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210065168.1, 申请日期: 2015-12-02, 公开日期: 2013-09-18
作者: 叶甜春 ; 朱慧珑; 李春龙; 罗军; 钟汇才
  收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| AHB Matrix互连总线IP的设计与实现 期刊论文
Electronics Letters, 2015
作者: 叶甜春; 慰志伟; 吴斌; 罗惠文
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2016/06/03 |
| Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 22nm node pMOSFETs 期刊论文
Solid-State Electronics, 2015
作者: Li JF(李俊峰); Wang GL(王桂磊); Xu YF(徐烨峰); Luo J(罗军); Guo YL(郭奕栾)
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2016/05/31 |
| 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法 专利
专利号: CN201110418276.8, 申请日期: 2015-06-24, 公开日期: 2012-06-27
作者: 叶甜春; 吕荫学; 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2016/10/25 |
| Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology 期刊论文
Vacuum, 2015
作者: Cui HS(崔虎山); Luo J(罗军); Xu J(许静); Gao JF(高建峰); Xiang JJ(项金娟)
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2016/05/31 |
| Effects of defects and thermal treatment on the properties of graphene 期刊论文
VACUUM, 2015
作者: Ye TC(叶甜春); Jia KP(贾昆鹏); Su YJ(粟雅娟); Chen Y(陈阳); Luo J(罗军)
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2016/05/31 |
| Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2015
作者: Zhao ZG(赵治国); Luo J(罗军); Yang H(杨红); Meng LK(孟令款); Hong PZ(洪培真)
收藏 | 浏览/下载：34/0 | 提交时间：2016/05/31 |
| 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 专利
专利号: CN201110116103.0, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2012-11-07
作者: 赵超; 罗军; 陈大鹏; 叶甜春
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法 专利
专利号: CN201110418323.9, 申请日期: 2015-02-18, 公开日期: 2012-05-02
作者: 罗家俊; 吕荫学; 毕津顺; 韩郑生; 叶甜春
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2016/10/25 |
| 诗歌的空间和地方性 期刊论文
扬子江诗刊, 2015, 卷号: 第5期, 页码: 81-89
作者: 霍俊明; 叶延滨; 刘立云; 耿占春; 罗振亚
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/02/27
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