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| 奥司他韦衍生物及其制备方法和应用 专利 申请日期: 2014-07-16, 公开日期: 2014-07-16 作者: 徐文方; 谢元超; 张颖杰
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| Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes 期刊论文 中国物理B(英文版), 2014, 期号: 2, 页码: 426-430 作者: Lv YJ(吕元杰); Feng ZH(冯志红); Gu GD(顾国栋); Dun SB(敦少博); Yin JY(尹甲运)
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| 关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究 期刊论文 物理学报, 2014, 期号: 12, 页码: 347-353 作者: 王雪松; 冀子武; 王绘凝; 徐明升; 徐现刚
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| Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes 期刊论文 Chinese Physics B, 2014, 期号: 02, 页码: 430-434 作者: Lv YJ(吕元杰); Feng ZH(冯志红); Gu GD(顾国栋); Dun SB(敦少博); Yin JY(尹甲运)
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| Influence of temperature on strain-induced polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 Chinese Physics B, 2014, 期号: 07, 页码: 653-656 作者: Lv YJ(吕元杰); Feng ZH(冯志红); Lin ZJ(林兆军); Guo HY(郭红雨); Gu GD(顾国栋)
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