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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2014    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利 专利号: CN201110380662.2, 申请日期: 2014-08-13, 公开日期: 2012-05-02 作者:  汤益丹;  白云;  李博;  刘新宇;  周静涛 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/20 一种肖特基二极管接触孔制备的可测试性监控方法 专利 专利号: CN103972128A, 申请日期: 2014-08-06, 作者:  杨成樾;  任田昊;  金智;  周静涛 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/05/27 一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法 专利 专利号: CN201010574100.7, 申请日期: 2014-01-08, 公开日期: 2012-06-06 作者:  吴德馨;  申华军;  刘洪刚;  刘焕明;  杨成樾 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/05/14 采用三维排气孔装置的SOI/III-V整片晶片键合方法 专利 专利号: CN201010574339.4, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2012-06-06 作者:  刘焕明;  申华军;  周静涛;  刘新宇;  杨成樾 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2015/05/14