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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2013     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 基于0.35 um BCD工艺下50 V HVPMOS的电学性能优化 期刊论文 上海大学学报. 自然科学版, 2013, 卷号: 19, 页码: 567-571 作者:  邹荣[1];  闵嘉华[2];  储楚[3];  梁小燕[4];  张涛[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/30 BCD工艺  电学性能  流片