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	基于0.35 um BCD工艺下50 V HVPMOS的电学性能优化
	邹荣[1]; 闵嘉华[2]; 储楚[3]; 梁小燕[4]; 张涛[5]; 滕家琪[6]
刊名	上海大学学报. 自然科学版
	2013
卷号	19页码:567-571
关键词	BCD工艺 电学性能 流片
ISSN号	1007-2861
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2290329
专题	上海大学
作者单位	[1]上海大学材料科学与工程学院,上海,200072[2]上海大学材料科学与工程学院,上海,200072[3]上海大学微电子研究与开发中心,上海,200072[4]上海大学材料科学与工程学院,上海,200072[5]上海大学材料科学与工程学院,上海,200072[6]上海大学材料科学与工程学院,上海,200072
推荐引用方式 GB/T 7714	邹荣[1],闵嘉华[2],储楚[3],等. 基于0.35 um BCD工艺下50 V HVPMOS的电学性能优化[J]. 上海大学学报. 自然科学版,2013,19:567-571.
APA	邹荣[1],闵嘉华[2],储楚[3],梁小燕[4],张涛[5],&滕家琪[6].(2013).基于0.35 um BCD工艺下50 V HVPMOS的电学性能优化.上海大学学报. 自然科学版,19,567-571.
MLA	邹荣[1],et al."基于0.35 um BCD工艺下50 V HVPMOS的电学性能优化".上海大学学报. 自然科学版 19(2013):567-571.

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