基于0.35 um BCD工艺下50 V HVPMOS的电学性能优化 | |
邹荣[1]; 闵嘉华[2]; 储楚[3]; 梁小燕[4]; 张涛[5]; 滕家琪[6] | |
刊名 | 上海大学学报. 自然科学版 |
2013 | |
卷号 | 19页码:567-571 |
关键词 | BCD工艺 电学性能 流片 |
ISSN号 | 1007-2861 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2290329 |
专题 | 上海大学 |
作者单位 | [1]上海大学材料科学与工程学院,上海,200072[2]上海大学材料科学与工程学院,上海,200072[3]上海大学微电子研究与开发中心,上海,200072[4]上海大学材料科学与工程学院,上海,200072[5]上海大学材料科学与工程学院,上海,200072[6]上海大学材料科学与工程学院,上海,200072 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹荣[1],闵嘉华[2],储楚[3],等. 基于0.35 um BCD工艺下50 V HVPMOS的电学性能优化[J]. 上海大学学报. 自然科学版,2013,19:567-571. |
APA | 邹荣[1],闵嘉华[2],储楚[3],梁小燕[4],张涛[5],&滕家琪[6].(2013).基于0.35 um BCD工艺下50 V HVPMOS的电学性能优化.上海大学学报. 自然科学版,19,567-571. |
MLA | 邹荣[1],et al."基于0.35 um BCD工艺下50 V HVPMOS的电学性能优化".上海大学学报. 自然科学版 19(2013):567-571. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论