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科研机构
上海技术物理研究所 [2]
内容类型
专利 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2013 [2]
学科主题
红外探测材料与器件 [1]
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发表日期:2013
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ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究
期刊论文
红外与激光工程, 2013, 卷号: 42, 期号: 8
作者:
程吉凤
;
朱耀明
;
唐恒敬
;
李雪
;
邵秀梅
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提交时间:2014/11/05
感应耦合等离子体
铟镓砷
Raman光谱
Xrd
刻蚀损伤
一种台面型铟镓砷探测器制备方法
专利
专利号: 201110317200.6, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-20
作者:
1朱耀明 2李 雪3龚海梅 4唐恒敬 5李 淘 6魏 鹏 7王云姬8邓洪海 9刘诗嘉10 张在实 11汤亦聃 12 乔 辉
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提交时间:2013/12/20
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