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一种透明阻变存储器及其制备方法 专利
申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-09-18
作者:  闫小兵[1];  张二鹏[2];  娄建忠[3];  刘保亭[4]
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真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究 期刊论文
人工晶体学报, 2013, 卷号: 42, 期号: 11, 页码: 2304-2308
作者:  闫小兵[1];  张二鹏[2];  贾长江[3];  史守山[4];  娄建忠[5]
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用于硅基铁电电容器集成的一种阻挡层材料及集成方法 专利
申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-07-24
作者:  刘保亭[1];  郭建新[2];  张磊[3];  齐晨光[4];  赵庆勋[5]
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一种用于铜互连的导电阻挡层材料及其制备方法 专利
申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-11
作者:  刘保亭[1];  张磊[2];  齐晨光[3];  李晓红[4];  代秀红[5]
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一种阻变存储元件及其制备方法 专利
申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-25
作者:  闫小兵[1];  贾长江[2];  郝华[3];  陈英方[4];  娄建忠[5]
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(La_(0.5)Sr_(0.5))CoO_3为电极的Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3和Pb(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3铁电电容器结构及电学性能 期刊论文
人工晶体学报, 2013, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: 129-133
作者:  贾冬梅[1];  刘保亭[2];  彭增伟[3];  郝彦磊[4];  朱慧娟[5]
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含Ni-Nb阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3电容器的制备及铁电性能研究 期刊论文
人工晶体学报, 2013, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 282-285
作者:  赵庆勋[1];  齐晨光[2];  贾冬梅[3];  付跃举[4];  郭建新[5]
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保持温度对偏轴磁控溅射法制备BiFeO_3薄膜结构和性能的影响 期刊论文
人工晶体学报, 2013, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 246-250
作者:  郝彦磊[1];  刘保亭[2];  彭增伟[3];  贾冬梅[4];  朱慧娟[5]
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硅基外延SrRuO_3/PbZr_(0.5)Ti_(0.5)O_3/SrRuO_3电容器的结构和性能研究 期刊论文
人工晶体学报, 2013, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 428-431,451
作者:  朱慧娟[1];  刘保亭[2];  代秀红[3];  郭建新[4];  周阳[5]
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溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响 期刊论文
人工晶体学报, 2013, 卷号: 42, 期号: 7, 页码: 1343-1346,1352
作者:  张锁良[1];  贾长江[2];  郝彦磊[3];  史守山[4];  张二鹏[5]
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