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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2013    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN_AlN_GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 047102 Cao Zhi-Fang , Lin Zhao-Jun, Lü Yuan-Jie, Luan Chong-Biao and Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2014/03/18 Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 047102 Cao Zhi-Fang; Lin Zhao-Jun; Lu Yuan-Jie; Luan Chong-Biao; Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/09/17 The Growth and Fabrication of InGaN_GaN Multi-Quantum Well Solar Cells on Si(111) Substrates 期刊论文 chinese physics letters, 2013, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 068402 LI Zhi-Dong, XIAO Hong-Ling, WANG Xiao-Liang, WANG Cui-Mei, DENG Qing-Wen, JING Liang, DING Jie-Qin, WANG Zhan-Guo, HOU Xun 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/03/17 Electron mobility limited by surface and interface roughness scattering in AlxGaN-GaN quantum wells 期刊论文 chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 7305 Wang Jian-Xia, Yang Shao-Yan, Wang Jun, Liu Gui-Peng, Li Zhi-Wei, Li Hui-Jie, Jin Dong-Dong, Liu Xiang-Lin, Zhu Qin-Sheng, Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/03/18 High sensitivity Hall devices with AlSb InAs quantum well structures 期刊论文 chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 7106 Zhang Yang, Zhang Yu-Wei, Wang Cheng-Yan, Guan Min, Cui Li-Jie, Li Yi-Yang, Wang Bao-Qiang, Zhu Zhan-Ping, Zeng Yi-Ping 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/03/19 Electron scattering in GaAs-InGaAs quantum wells subjected to an in-plane magnetic field 期刊论文 journal of applied physics, 2013, 卷号: 113, 期号: 21, 页码: 213711-213711-4 Jin, Dong-Dong; Yang, Shao-Yan; Zhang, Liu-Wan; Li, Hui-jie; Zhang, Heng; Wang, Jian-xia; Yang, Tao; Xiang-LinLiu; Zhu, Qin-Sheng; Wang, Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/03/17