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科研机构
半导体研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [12]
发表日期
2012 [12]
学科主题
光电子学 [11]
半导体器件 [1]
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发表日期:2012
专题:半导体研究所
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Distribution of electric field and design of devices in GaN avalanche photodiodes
期刊论文
science china-physics mechanics & astronomy, 2012, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 619-624
Wu, LL
;
Zhao, DG
;
Deng, Y
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Wang, H
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Zhang, BS
;
Yang, H
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提交时间:2013/03/17
Thermal analysis of GaN laser diodes in a package structure
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 084209
Feng MX (Feng Mei-Xin)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Liu JP (Liu Jian-Ping)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zeng C (Zeng Chang)
;
Li ZC (Li Zeng-Cheng)
;
Wang HB (Wang Huai-Bing)
;
Wang F (Wang Feng)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/04/02
Effect of light Si-doping on the near-band-edge emissions in high quality GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 053104
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Li L (Li, L.)
;
Chen P (Chen, P.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
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提交时间:2013/04/02
Effect of In incorporation parameters on the electroluminescence of blue-violet InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2012, 卷号: 540, 页码: 46-48
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Le LC (Le, L. C.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Li L (Li, L.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Jia QJ (Jia, Q. J.)
;
Yang H (Yang, Hui)
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提交时间:2013/03/27
Optimization of the cavity facet coating in high power GaN-based semiconductor laser diodes
期刊论文
science china-technological sciences, 2012, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 883-887
Feng, MX
;
Zhang, SM
;
Jiang, DS
;
Wang, H
;
Liu, JP
;
Zeng, C
;
Li, ZC
;
Wang, HB
;
Wang, F
;
Yang, H
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提交时间:2013/03/17
Contribution of GaN template to the unexpected Ga atoms incorporated into AlInN epilayers grown under an indium-very-rich condition by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 25-30
Zhu, JJ
;
Fan, YM
;
Zhang, H
;
Lu, GJ
;
Wang, H
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Chen, GF
;
Zhang, BS
;
Yang, H
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/02/27
Improvement of characteristics of InGaN-based laser diodes with undoped InGaN upper waveguide layer
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 11, 页码: 113105
Chen P (Chen, P.)
;
Feng MX (Feng, M. X.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Li L (Li, L.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/03/26
Thermal characterization of GaN-based laser diodes by forward-voltage method
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 111, 期号: 9, 页码: 94513
Feng, MX
;
Zhang, SM
;
Jiang, DS
;
Liu, JP
;
Wang, H
;
Zeng, C
;
Li, ZC
;
Wang, HB
;
Wang, F
;
Yang, H
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/03/17
Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 25, 页码: 252110
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
;
Li L (Li, L.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Chen P (Chen, P.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Li ZC (Li, Z. C.)
;
Fan YM (Fan, Y. M.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/03/20
Positive and negative effects of oxygen in thermal annealing of p-type GaN
期刊论文
semiconductor science and technology, 2012, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 85017
Wu, LL
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Le, LC
;
Li, L
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Zhu, JJ
;
Wang, H
;
Zhang, BS
;
Yang, H
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提交时间:2013/03/17
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