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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2012 [1]
学科主题
半导体器件 [1]
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发表日期:2012
学科主题:半导体器件
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Improvement of characteristics of InGaN-based laser diodes with undoped InGaN upper waveguide layer
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 11, 页码: 113105
Chen P (Chen, P.)
;
Feng MX (Feng, M. X.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Li L (Li, L.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
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提交时间:2013/03/26
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