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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：河北大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 不同浓度Er掺杂Si纳米晶粒电子结构和光学性质的第一性原理研究 期刊论文 物理学报, 2011, 期号: 12, 页码: 508-514 作者:  王英龙[1];  王秀丽[2];  梁伟华[3];  郭建新[4];  丁学成[5] 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/21 Si纳米晶粒  掺杂  电子结构  光学性质   镍间隙掺杂硅纳米线电子结构的研究 期刊论文 功能材料, 2011, 卷号: 42, 期号: 7, 页码: 1207-1210 作者:  梁伟华[1];  王秀丽[2];  丁学成[3];  褚立志[4];  邓泽超[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/21 硅纳米线  掺杂  电子性质  第一性原理   不同浓度Er掺杂Si纳米晶粒电子结构和光学性质的第一性原理研究 期刊论文 物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 12, 页码: 503-509 作者:  王英龙[1];  王秀丽[2];  梁伟华[3];  郭建新[4];  丁学成[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/21 Si纳米晶粒  掺杂  电子结构  光学性质   Ni掺杂浓度对硅纳米线光电性质的影响 期刊论文 原子与分子物理学报, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 372-378 作者:  梁伟华[1];  丁学成[2];  王秀丽[3];  郭建新[4];  褚立志[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/21 电子结构  光学性质  第一性原理  Si纳米线  掺杂浓度