| Ni掺杂浓度对硅纳米线光电性质的影响 | |
| 梁伟华[1]; 丁学成[2]; 王秀丽[3]; 郭建新[4]; 褚立志[5]; 邓泽超[6]; 傅广生[7]; 王英龙[8] | |
| 刊名 | 原子与分子物理学报
 |
| 2011 | |
| 卷号 | 28期号:2页码:372-378 |
| 关键词 | 电子结构 光学性质 第一性原理 Si纳米线 掺杂浓度 |
| ISSN号 | 1000-0364 |
| DOI | http://dx.doi.org/10.3969/j.issn.1000-0364.2011.02.032 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5100921 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | [1]河北大学物理科学与技术学院,保定,071002[2]河北大学物理科学与技术学院,保定,071002[3]河北大学物理科学与技术学院,保定,071002[4]河北大学物理科学与技术学院,保定,071002[5]河北大学物理科学与技术学院,保定,071002[6]河北大学物理科学与技术学院,保定,071002[7]河北大学物理科学与技术学院,保定,071002[8]河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁伟华[1],丁学成[2],王秀丽[3],等. Ni掺杂浓度对硅纳米线光电性质的影响[J]. 原子与分子物理学报,2011,28(2):372-378. |
| APA | 梁伟华[1].,丁学成[2].,王秀丽[3].,郭建新[4].,褚立志[5].,...&王英龙[8].(2011).Ni掺杂浓度对硅纳米线光电性质的影响.原子与分子物理学报,28(2),372-378. |
| MLA | 梁伟华[1],et al."Ni掺杂浓度对硅纳米线光电性质的影响".原子与分子物理学报 28.2(2011):372-378. |
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