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科研机构
大连理工大学 [2]
内容类型
专利 [2]
发表日期
2011 [2]
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发表日期:2011
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N-type zinc oxide and P-type gallium nitride combined zinc oxide-based vertical cavity emitting laser, has upper electrode and upper reflector provided on current upper limiting layer and separated from each other.
专利
申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-09-21
作者:
LIANG H DU G XIA X ZHAO W
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提交时间:2019/12/18
P-type zinc-oxide and n-type gallium nitride combined zinc-oxide radical vertical cavity surface emitting laser, has limiting layer formed on luminescent layer, where band width of limiting layer is greater than that of light-emitting layer.
专利
申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-11-30
作者:
DU G LIANG H XIA X ZHAO W
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提交时间:2019/12/18
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