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科研机构
安徽大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2009 [1]
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发表日期:2009
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Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO(2)-Based ReRAM With Implanted Ti Ions
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2009, 卷号: Vol.30 No.12, 页码: 1335-1337
作者:
Chen, JN [ 2 ]
;
Zhang, S [ 1 ]
;
Long, SB [ 1 ]
;
Liu, M [ 1 ] Hide ResearcherID and ORCID View ResearcherID and ORCID Author ResearcherID ORCID Number Liu, QI B-1043-2009 http://orcid.org/0000-0001-7062-831X Liu, Ming A-4456-2010 Long, Shibing C-9206-2011
;
By:Liu, Q [ 1,2 ]
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提交时间:2019/04/24
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