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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2009    内容类型：外文期刊    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Self-rectifying effect in gold nanocrystal-embedded zirconium oxide resistive memory 外文期刊 2009 作者:  Liu, M;  Li, YT;  Zhang, S;  Liu, Q;  Long, SB 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Diodes  Films  Dependence  Resistance  Density  Zro2  Sio2   Resistive switching characteristics of MnOx-based ReRAM 外文期刊 2009 作者:  Liu, M;  Zhang, S;  Guan, WH;  Liu, Q;  Wang, Q 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 Memory Applications  Oxide-films  Resistance   Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-Based ReRAM With Implanted Ti Ions 外文期刊 2009 作者:  Zuo, QY;  Liu, Q;  Long, SB;  Wang, W;  Zhang, S 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Doped Zro2  Low-power  Memory  Oxide   Formation of multiple conductive filaments in the Cu/ZrO2:Cu/Pt device 外文期刊 2009 作者:  Chen, JN;  Zhang, MH;  Dou, CM;  Wang, Y;  Long, SB 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Memory Application