Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-Based ReRAM With Implanted Ti Ions | |
Zuo, QY; Liu, Q; Long, SB; Wang, W; Zhang, S; Chen, JN; Liu, M | |
2009 | |
内容类型 | 外文期刊 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8872] |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Zuo, QY,Liu, Q,Long, SB,et al. Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-Based ReRAM With Implanted Ti Ions. 2009. |
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